“目前（存儲）市場已到‘有貨就好’ 的階段，價格談判幾乎停擺�！�
存儲器IC設(shè)計(jì)廠商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章近日接受采訪時表示，這波AI浪潮中，內(nèi)存和儲存元件面臨極度供不應(yīng)求的局面。
HBM（高帶寬內(nèi)存）、DRAM內(nèi)存短缺嚴(yán)重，其中HBM缺貨量極大。 由于內(nèi)存是剛需，所以即便是DDR4也收到了大量訂單。
甚至強(qiáng)勢如蘋果都在努力爭取2026年的產(chǎn)能分配，甚至不見得能拿到全部訂單。
此外，NAND閃存的價格也持續(xù)飆升。茍嘉章指出，存儲器價格的飛漲已直接影響消費(fèi)電子產(chǎn)品的規(guī)格，在成本逼近手機(jī)應(yīng)用處理器（AP）的價格情況下，使得在非洲和東南亞等地區(qū)，原本已主流化至128GB容量的手機(jī)，又開始出現(xiàn)64GB的入門機(jī)型。
推理算力的起飛被視為未來儲存市場最大的驅(qū)動力。茍嘉章表示，AI需求的爆發(fā)性增長，造成了近期的內(nèi)存大缺貨情況。
與過去不同，此輪短缺并非單一因素或減產(chǎn)所致，而是涉及HBM、NAND閃存及硬盤（HDD）三大核心儲存與存儲器元件同時緊缺。 預(yù)計(jì)2026年情況會持續(xù)，2027年目前還無法預(yù)測。
他認(rèn)為，AI的發(fā)展短期內(nèi)絕對不會形成泡沫，因?yàn)槠湫枨髲?qiáng)度非常高。 需求不僅限于高端訓(xùn)練，也開始向企業(yè)端擴(kuò)散，并逐漸影響到消費(fèi)端。
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