全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出適用于中等耐壓系統(tǒng)（12V～48V系統(tǒng)）的采用“TriC3™”技術(shù)的三相無刷直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC“BD67871MWV-Z”。通過配備ROHM自有的驅(qū)動(dòng)邏輯，該電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC成功地在降低FET發(fā)熱量的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了低EMI*1特性，而這兩項(xiàng)之間存在此消彼長的關(guān)系，通常很難同時(shí)兼顧。
電機(jī)的耗電量約占全球耗電量的60%，從能源效率的角度來看，進(jìn)一步提升其控制技術(shù)越來越重要。尤其是在12V～48V電壓等級的應(yīng)用產(chǎn)品中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)的主流方案通常采用通過MCU控制3個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器的簡單架構(gòu)。然而近年來，對高效率控制且精密控制的需求日益高漲，MCU與一體化三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器相結(jié)合的解決方案正在加速普及。另一方面，三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)器還存在技術(shù)課題—“抑制功耗”與“降低噪聲”之間存在著此消彼長的權(quán)衡關(guān)系，長期以來被認(rèn)為兩者很難同時(shí)兼顧。針對這些課題，ROHM充分利用其在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等各種柵極驅(qū)動(dòng)器IC開發(fā)過程中積累的先進(jìn)電路控制技術(shù)，成功開發(fā)出可同時(shí)抑制“功耗”和“噪聲”的新技術(shù)“TriC3™”。
新產(chǎn)品采用ROHM自有的智能柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)“TriC3™”，能夠高速感測來自FET的電壓信息，并實(shí)時(shí)進(jìn)行柵極控制。采用這種控制方式，不僅通過降低開關(guān)時(shí)的FET功耗減少了發(fā)熱量，同時(shí)還抑制了振鈴*2的產(chǎn)生，實(shí)現(xiàn)了低EMI特性。經(jīng)實(shí)際電機(jī)驗(yàn)證，與ROHM以往的恒流驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品相比，新產(chǎn)品在同等EMI水平下的FET發(fā)熱量可降低約35%。另外，新產(chǎn)品采用的是中等耐壓工業(yè)設(shè)備電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC常用的封裝形式（UQFN28）和引腳排列，有助于減輕電路修改和新設(shè)計(jì)時(shí)的工作量。
新產(chǎn)品已于2025年9月開始量產(chǎn)（樣品價(jià)格800日元/個(gè)，不含稅）。此外，ROHM還提供可助力應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)和設(shè)計(jì)的評估板（BD67871MWV-EVK-003）。本產(chǎn)品也已開通電商銷售路徑，通過電商平臺(tái)均可購買。
另外，ROHM還推出了與新產(chǎn)品采用相同封裝和引腳配置的恒壓驅(qū)動(dòng)通用電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（BD67870MWV-Z、BD67872MWV-Z）。從通用型到此次采用TriC3™技術(shù)的高附加值型產(chǎn)品，ROHM可提供滿足客戶多樣化需求的豐富產(chǎn)品群，未來ROHM將繼續(xù)致力于提升電機(jī)效率、助力應(yīng)用產(chǎn)品增強(qiáng)功能、提升性能并降低能耗。
＜產(chǎn)品陣容＞
＜應(yīng)用示例＞
・工業(yè)設(shè)備：電動(dòng)鉆頭、電動(dòng)螺絲刀、工業(yè)風(fēng)扇等設(shè)備所用的各種電機(jī)
・消費(fèi)電子：吸塵器、空氣凈化器、空調(diào)、換氣扇等設(shè)備所用的各種電機(jī)、
電助力自行車
＜TriC3™＞
ROHM開發(fā)的適時(shí)細(xì)分恒流控制驅(qū)動(dòng)技術(shù)。通過三段式精確設(shè)定控制柵極電流，實(shí)現(xiàn)高速且高效運(yùn)行，同時(shí)抑制振鈴現(xiàn)象，有助于降低噪聲并實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定工作。
“TriC3™”是ROHM Co., Ltd. 的商標(biāo)或注冊商標(biāo)。
＜術(shù)語解說＞
*1) EMI（Electromagnetic Interference：電磁干擾）
EMI是用來衡量對象產(chǎn)品的運(yùn)行產(chǎn)生多少噪聲、是否給外圍IC和系統(tǒng)帶來問題的指標(biāo)�！暗虴MI特性”意味著產(chǎn)生的噪聲很少。
*2) 振鈴
開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的高頻振蕩和過沖現(xiàn)象。這是由MOSFET在開、關(guān)動(dòng)作時(shí)，電路中的寄生電感和寄生電容發(fā)生的諧振所導(dǎo)致的現(xiàn)象。 |
