英諾賽科 (Innoscience) 雙向 VGaN™提供高可靠性、高性能和高性價比，可支持新型雙向電力電子系統(tǒng)。它取代了傳統(tǒng)的背靠背 Si MOSFET，顯著降低了功率損耗，提高了開關(guān)速度，并縮小了電源系統(tǒng)的尺寸，降低了 BOM 成本。
當前，我們正在擴展組件生態(tài)系統(tǒng)，通過100V 低邊驅(qū)動 IC INS1011SD 支持 VGaN™。
INS1011SD + VGaN™ 使 BMS 系統(tǒng)更小、更高效、更低成本！
英諾賽科 (Innoscience) 推出全球首款 100V 低邊驅(qū)動器芯片 INS1011SD，旨在優(yōu)化 40V 至 120V 雙向 VGaN™的柵極驅(qū)動，簡化 BMS（電池管理系統(tǒng)）中的低邊電池保護，并消除笨重復雜的背靠背 Si MOS 設計。
全球首款，性能卓越
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• 超低功耗：8uA 典型靜態(tài)電流，極大延長電池待機時間
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• 高速開關(guān)：具備高速開通和關(guān)斷能力，能夠快速響應故障保護系統(tǒng)
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• 強驅(qū)動力：能夠驅(qū)動多顆VGaN™并聯(lián)，滿足大電流應用
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• 廣泛兼容性：兼容主流AFE和MCU 控制邏輯
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• 寬工作電壓與高耐壓：VCC提供從8V-90V的電壓范圍，且關(guān)鍵引腳耐壓高
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• 標準封裝：標準SOP-8封裝，方便使用和貼裝
革命性替代，顛覆傳統(tǒng)BMS
英諾賽科 100V 低邊驅(qū)動芯片 INS1011SD 專為驅(qū)動 VGaN™而生，二者結(jié)合完美替代傳統(tǒng)兩顆或多顆背靠背SiMOS及其驅(qū)動方案，帶來小型化、輕量化、降成本的系統(tǒng)優(yōu)勢。
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• 減小系統(tǒng)尺寸和重量：VGaN™體積小，能夠以一替二，簡化驅(qū)動電路；
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• 降低系統(tǒng)成本：減小器件數(shù)量，如MOSFET、相關(guān)驅(qū)動及PCB占板面積；
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• 提升效率： VGaN™導通電阻Rds(on)更低，開關(guān)損耗更��；
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• 簡單易用：INS1011SD兼容現(xiàn)有主流AFE/MCU控制邏輯，方便工程師集成到現(xiàn)有BMS設計中
多領域賦能，提升應用價值
高性能 INS1011SD+雙向 VGaN™，可廣泛應用于電池管理系統(tǒng)（BMS）低邊保護、儲能電池包、電動交通電池保護、不間斷電源和蓄電池保護以及電動工具等電池供電設備保護等，實現(xiàn)更小、更輕、更省、更高效的優(yōu)勢！
至此，英諾賽科完成了從單一VGaN™系列到“ VGaN™+專用驅(qū)動”的完整解決方案的邁進，推動氮化鎵技術(shù)實現(xiàn)更廣泛、更便捷的應用，構(gòu)建完善生態(tài)。 |
