作者：Frederik Dostal，電源管理主題專家
摘要
本文闡釋了在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關(guān)所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰(zhàn)。文中提出了一種以專用GaN驅(qū)動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩(wěn)固可靠的設(shè)計。此外，本文還建議將LTspice®作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關(guān)。
引言
氮化鎵(GaN)是一種III-V族半導(dǎo)體，為開關(guān)電模式電源(SMPS)提供了出眾的性能。GaN技術(shù)具有高介電強度、低開關(guān)損耗、高功率密度等特點，因此日益受到歡迎。
如今，市面上有眾多基于GaN技術(shù)的開關(guān)可供選擇。然而，與傳統(tǒng)的MOSFET相比，由于需要采用不同的驅(qū)動方式，這些開關(guān)的應(yīng)用在一定程度上受到了限制。
圖1.SMPS中電源開關(guān)的驅(qū)動。
圖1展示了開關(guān)模式降壓轉(zhuǎn)換器（降壓技術(shù)）中常用的半橋配置功率級。在此配置中使用GaN開關(guān)時，必須考慮到，與硅基開關(guān)相比，GaN開關(guān)的最大柵極電壓耐受值通常較比較低。因此，在驅(qū)動過程中嚴格遵守最大柵極電壓限制至關(guān)重要。
此外，連接高側(cè)與低側(cè)開關(guān)的開關(guān)節(jié)點會發(fā)生快速切換，這一現(xiàn)象不容忽視。這種快速切換不應(yīng)導(dǎo)致GaN開關(guān)意外導(dǎo)通，而這種失效模式對于傳統(tǒng)硅基開關(guān)來說并不常見。要緩解這一問題，可以為上升沿和下降沿設(shè)置獨立的柵極控制線。
再者，在橋式拓撲結(jié)構(gòu)中，GaN開關(guān)在死區(qū)時間內(nèi)的線路損耗會增加。因此，在橋式應(yīng)用場景中使用GaN 開關(guān)時，必須盡可能縮短死區(qū)時間，從而實現(xiàn)理想的性能表現(xiàn)。
圖2.LT8418，一款用于GaN開關(guān)的100 V半橋驅(qū)動器。
為了有效滿足GaN開關(guān)的特定控制需求，建議使用諸如LT8418之類的專用GaN驅(qū)動器IC。圖2展示了這款驅(qū)動器在降壓式開關(guān)穩(wěn)壓器中的應(yīng)用。LT8418 GaN橋式驅(qū)動器性能出色，柵極充電時驅(qū)動強度可達4A，關(guān)斷期間柵極放電強度更是高達8A。憑借獨立的充放電控制線，可靈活調(diào)整上升與下降時間，保障電路穩(wěn)定可靠運行。
在輸入電壓為48 V、輸出電壓為12 V、負載電流為12 A的情況下，圖2中的電路實現(xiàn)了約97%的轉(zhuǎn)換效率。值得注意的是，這一轉(zhuǎn)換效率是在1 MHz的開關(guān)頻率下達成的。
當構(gòu)建使用GaN開關(guān)的功率級時，必須仔細優(yōu)化電路板布局�？焖俚拈_關(guān)邊沿與寄生電感相互作用，可能會產(chǎn)生不良的高電磁輻射。為了盡可能減少這些寄生電感，緊湊的電路設(shè)計不可或缺。正因如此，LT8418橋式驅(qū)動器采用了緊湊的晶圓級芯片尺寸封裝(WLCSP)，其尺寸僅為1.7 mm ×1.7 mm。
要想快速、高效地體驗GaN開關(guān)的控制過程，強烈推薦使用免費的仿真環(huán)境LTspice。LTspice不僅包含LT8418 GaN驅(qū)動器的全面仿真模型，還配備了完整的外部電路。圖3展示了用于在LTspice中進行評估的LT8418原理圖。
圖3.在LTspice仿真環(huán)境中評估采用GaN電源開關(guān)的SMPS。
結(jié)論
GaN開關(guān)已從小眾產(chǎn)品發(fā)展成為電力電子領(lǐng)域的關(guān)鍵角色。憑借在效率與功率密度方面的顯著優(yōu)勢，GaN開關(guān)在電壓轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、D類音頻放大器等多種應(yīng)用場景中展現(xiàn)出強大吸引力。隨著LT8418等優(yōu)化驅(qū)動模塊相繼問世，控制這項新的電路技術(shù)已變得既簡單又可靠。因此，GaN開關(guān)為電力電子技術(shù)的發(fā)展帶來了巨大潛力。 |
