ACM86xx EVM整體布局視圖
ACM86xx EVM Top Layer
1） 芯片焊盤下面的鋪地盡量完整，而且鋪地面積盡量延伸至較寬范圍.
2) 輸出濾波器的接地以最短路徑返回到芯片GND.
3) 電源線走線盡量寬，濾波電容盡 量靠近芯片PVDD管腳.
4) DVDD域的濾波器電容盡量靠近芯片.
5) 輸出濾波器附近地過孔數(shù)量夠，保證最短路徑返回到芯片GND。
ACM86xx EVM Bottom Layer
1） 散熱焊盤下面刮亮銅皮，芯片下方給足散熱過孔，建議至少15個(gè)以上
Layer2/3, 內(nèi)層PVDD電源走線，盡量寬內(nèi)層GND盡量保持完整
實(shí)際應(yīng)用案例分析1
問題表現(xiàn)：
1）功放芯片啟動(dòng)就無聲，過流保護(hù).
2) 大信號(hào)播放一段時(shí)間后無聲，過熱保護(hù).
原因分析：
1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠(yuǎn)，導(dǎo)致功放芯片啟動(dòng)就產(chǎn)生過流保護(hù).
2) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部 散熱，芯片上方預(yù)留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長時(shí)間后導(dǎo)致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來越高， 功放芯片過熱保護(hù).
實(shí)際應(yīng)用案例分析2
問題表現(xiàn)：
1）功放芯片啟動(dòng)就無聲，過流保護(hù)，甚至燒片.
2) 大信號(hào)播放一段時(shí)間后無聲，過熱 保護(hù).
原因分析：
1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠(yuǎn)，導(dǎo)致功放芯片啟動(dòng)就 產(chǎn)生過流保護(hù).
2) 輸出電感飽和電流較小，尤其對(duì)于 PBTL的輸出電感，需要選擇電流更大 一些的電感.
3) 功放芯片是ACM8629 Pad Up頂部散熱，芯片上方預(yù)留給散熱片的面積空間較小，只能裝比較小的散熱片，大功率播放較長時(shí)間后導(dǎo)致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來越高，功放芯片過熱保護(hù).
實(shí)際應(yīng)用案例分析3
問題表現(xiàn)：
1) 大信號(hào)播放一段時(shí)間后無聲，過熱 保護(hù).
原因分析：
1）PCB板布局過于緊湊，功率密度太大，狹小的空間內(nèi)布局2顆ACM8625P功放.
2) 大功率播放較長時(shí)間后導(dǎo)致整個(gè)PCB以及散熱片溫度越來越高，功放芯片過熱保護(hù).
實(shí)際應(yīng)用案例分析4
問題表現(xiàn)：
1) EMI 測試通過失敗原因分析：
1）PCB板布局過于緊湊，輸出電感無法靠近功放輸出腳擺放，導(dǎo)致功率輸出的PWM信號(hào)走線很長，對(duì)EMI產(chǎn)生很大挑戰(zhàn).
2) 雖經(jīng)過調(diào)整，增加輸出Snubber電路，以及調(diào)整PWM開關(guān)頻率，開Spread Spectrum，有所改善，還是不能最終通過EMI測試要求.
實(shí)際應(yīng)用案例分析5
問題表現(xiàn)：
1)大信號(hào)播放一段時(shí)間后無聲，過熱保護(hù)
原因分析：
1）兩層PCB板設(shè)計(jì)，PVDD電源將功放周邊的GND銅皮切割成孤島.
2) 在大信號(hào)播放時(shí)，功放芯片通過引 腳和底部散熱片向PCB散熱，由于周邊銅皮被切割成孤島，影響熱量傳導(dǎo)，長時(shí)間后芯片過熱保護(hù).
實(shí)際應(yīng)用案例分析6
問題表現(xiàn)：
1）功放芯片啟動(dòng)就無聲，過流保護(hù)， 甚至燒片.
原因分析：
1）陶瓷貼片濾波電容擺放離芯片PVDD管腳太遠(yuǎn)，導(dǎo)致功放芯片啟動(dòng)就產(chǎn)生過流保護(hù).
2)功放的PGND只有一個(gè)過孔跟BOTTOM層的地相連，功放底部的大片GND也沒有過孔跟BOTTOM層相連， 導(dǎo)致電流路徑過長，很不穩(wěn)定.
|
